Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən birləşdirmə

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

hissə-hissə: 76016

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 6V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

hissə-hissə: 75982

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 6V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

hissə-hissə: 54052

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 167mW, Gərginlik - Çıxış: 6V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

hissə-hissə: 2509

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

hissə-hissə: 2537

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

hissə-hissə: 2538

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

hissə-hissə: 2531

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

hissə-hissə: 2482

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

hissə-hissə: 2534

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

hissə-hissə: 2493

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

hissə-hissə: 2505

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

hissə-hissə: 2518

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

hissə-hissə: 2522

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 600mV, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 25µA,

İstək siyahısına
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

hissə-hissə: 2457

Gərginlik: 40V, Güc Dağılımı (Maksimum): 300mW, Gərginlik - Çıxış: 11V, Gərginlik - Ofset (Vt): 1.6V, Cari - Anod Sızıntısı Qapısı (Igao): 10nA, Cari - Vadi (Iv): 50µA,

İstək siyahısına