Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 21

S400KR

hissə-hissə: 2009

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 400A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

SD4145

hissə-hissə: 6509

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR12M05

hissə-hissə: 9525

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S85YR

hissə-hissə: 7151

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 85A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

hissə-hissə: 28962

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

hissə-hissə: 37909

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

hissə-hissə: 1555

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S40Q

hissə-hissə: 7175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

hissə-hissə: 5989

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 85A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR70G02

hissə-hissə: 9642

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 70A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

hissə-hissə: 2856

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 20A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S300YR

hissə-hissə: 1824

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 300A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S40B

hissə-hissə: 11196

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

hissə-hissə: 17999

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 2A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

hissə-hissə: 4212

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR30J02

hissə-hissə: 7131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

hissə-hissə: 2177

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S85VR

hissə-hissə: 7084

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 85A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

hissə-hissə: 4392

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 35A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

hissə-hissə: 5997

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 85A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S85Q

hissə-hissə: 7124

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 85A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S40KR

hissə-hissə: 8348

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR40G02

hissə-hissə: 7130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

hissə-hissə: 2457

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

hissə-hissə: 1505

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

hissə-hissə: 2179

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

hissə-hissə: 771

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 50A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

hissə-hissə: 7134

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

hissə-hissə: 7177

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

hissə-hissə: 1373

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

hissə-hissə: 7175

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 70A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR30G02

hissə-hissə: 7099

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S85JR

hissə-hissə: 7155

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 85A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR3545

hissə-hissə: 4428

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 35A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S300Y

hissə-hissə: 1833

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 300A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S85J

hissə-hissə: 7670

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 85A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu