Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 21

MBR8045

hissə-hissə: 4200

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

hissə-hissə: 2354

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

hissə-hissə: 7100

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

hissə-hissə: 2289

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

hissə-hissə: 2377

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

hissə-hissə: 5676

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 50A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

hissə-hissə: 6031

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 85A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

hissə-hissə: 7147

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

hissə-hissə: 6017

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 85A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 85A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

hissə-hissə: 2356

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

hissə-hissə: 2350

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 70A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 110ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

hissə-hissə: 2334

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

hissə-hissə: 2296

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

hissə-hissə: 2318

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

hissə-hissə: 5231

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 300A,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

hissə-hissə: 2307

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

hissə-hissə: 2242

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

hissə-hissə: 2232

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

hissə-hissə: 311

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 8000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 4.6V @ 50mA, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

hissə-hissə: 2319

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

hissə-hissə: 2265

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

hissə-hissə: 2239

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

hissə-hissə: 2328

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

hissə-hissə: 2310

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

hissə-hissə: 2284

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

hissə-hissə: 2270

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

hissə-hissə: 2239

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

hissə-hissə: 5225

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

hissə-hissə: 2278

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

hissə-hissə: 2301

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

hissə-hissə: 2249

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

hissə-hissə: 2239

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

hissə-hissə: 2267

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

hissə-hissə: 10367

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

hissə-hissə: 20747

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

hissə-hissə: 5683

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 3300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 300mA, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu