Diodlar - Düzəldicilər - Tək

Ev
Diodlar - Düzəldicilər - Tək

GeneSiC Semiconductor

1N3889

hissə-hissə: 12061

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3893R

hissə-hissə: 9557

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N1188R

hissə-hissə: 14337

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

hissə-hissə: 7092

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N1200A

hissə-hissə: 15967

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 12A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

hissə-hissə: 10679

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N1190A

hissə-hissə: 11089

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

hissə-hissə: 7743

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N1186A

hissə-hissə: 11112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3768R

hissə-hissə: 7145

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

hissə-hissə: 10388

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3892

hissə-hissə: 11891

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3879

hissə-hissə: 12395

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3881R

hissə-hissə: 11499

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3881

hissə-hissə: 12277

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3883

hissə-hissə: 9906

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3879R

hissə-hissə: 15729

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3892R

hissə-hissə: 11929

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3883R

hissə-hissə: 9515

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

hissə-hissə: 457

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 14.6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

hissə-hissə: 435

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 9.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.34V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

hissə-hissə: 456

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 9.4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

hissə-hissə: 472

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 1A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N3889R

hissə-hissə: 12088

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

hissə-hissə: 413

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4.3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.65V @ 5A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

hissə-hissə: 5706

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 35A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

SD4145R

hissə-hissə: 6557

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S40MR

hissə-hissə: 9616

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S150Q

hissə-hissə: 2529

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

hissə-hissə: 5428

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR6035

hissə-hissə: 5414

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

hissə-hissə: 2907

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S300B

hissə-hissə: 2041

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 300A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

S380ZR

hissə-hissə: 2007

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 380A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 380A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

hissə-hissə: 16846

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURH7010

hissə-hissə: 31

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 70A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 70A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»