Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
1N3213R
GeneSiC Semiconductor

1N3213R

hissə-hissə: 9594

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5834R
GeneSiC Semiconductor

1N5834R

hissə-hissə: 5649

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 590mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3297A
GeneSiC Semiconductor

1N3297A

hissə-hissə: 3391

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 100A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3768
GeneSiC Semiconductor

1N3768

hissə-hissə: 9899

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3211R
GeneSiC Semiconductor

1N3211R

hissə-hissə: 13605

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1188AR
GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

hissə-hissə: 14724

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1186R
GeneSiC Semiconductor

1N1186R

hissə-hissə: 14976

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3293A
GeneSiC Semiconductor

1N3293A

hissə-hissə: 3421

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 100A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1187R
GeneSiC Semiconductor

1N1187R

hissə-hissə: 11210

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3766
GeneSiC Semiconductor

1N3766

hissə-hissə: 9596

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N2133AR
GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

hissə-hissə: 9580

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

hissə-hissə: 14489

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 12A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5832
GeneSiC Semiconductor

1N5832

hissə-hissə: 5575

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3208R
GeneSiC Semiconductor

1N3208R

hissə-hissə: 15260

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
150K100A
GeneSiC Semiconductor

150K100A

hissə-hissə: 3461

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1183R
GeneSiC Semiconductor

1N1183R

hissə-hissə: 15035

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1202AR
GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

hissə-hissə: 15978

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 12A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N2133A
GeneSiC Semiconductor

1N2133A

hissə-hissə: 9591

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N5828
GeneSiC Semiconductor

1N5828

hissə-hissə: 5643

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4595
GeneSiC Semiconductor

1N4595

hissə-hissə: 3450

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N4592R
GeneSiC Semiconductor

1N4592R

hissə-hissə: 3417

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1190R
GeneSiC Semiconductor

1N1190R

hissə-hissə: 16753

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N8030-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8030-GA

hissə-hissə: 464

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 750mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.39V @ 750mA, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
1N8024-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

hissə-hissə: 457

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 750mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.74V @ 750mA, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
1N6095R
GeneSiC Semiconductor

1N6095R

hissə-hissə: 4316

Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1184A
GeneSiC Semiconductor

1N1184A

hissə-hissə: 11180

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3673AR
GeneSiC Semiconductor

1N3673AR

hissə-hissə: 12882

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 12A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1186AR
GeneSiC Semiconductor

1N1186AR

hissə-hissə: 10488

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 40A,

Arzu
150KR60A
GeneSiC Semiconductor

150KR60A

hissə-hissə: 2965

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1206AR
GeneSiC Semiconductor

1N1206AR

hissə-hissə: 17397

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 12A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N1184
GeneSiC Semiconductor

1N1184

hissə-hissə: 7472

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 35A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 35A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3210
GeneSiC Semiconductor

1N3210

hissə-hissə: 11001

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3214
GeneSiC Semiconductor

1N3214

hissə-hissə: 12725

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N3891
GeneSiC Semiconductor

1N3891

hissə-hissə: 11106

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

hissə-hissə: 2917

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 150A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

hissə-hissə: 4336

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 50A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu