Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler

Ev
Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler

Microsemi Corporation

2N2919U

hissə-hissə: 1529

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3810U

hissə-hissə: 2166

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2060L

hissə-hissə: 2121

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N6987

hissə-hissə: 1248

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N6988

hissə-hissə: 1523

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2919L

hissə-hissə: 2004

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2920U

hissə-hissə: 161

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3838

hissə-hissə: 1633

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2920L

hissə-hissə: 2061

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N6990

hissə-hissə: 1262

Transistor növü: 4 NPN (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N5795

hissə-hissə: 1968

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2920

hissə-hissə: 2258

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3810L

hissə-hissə: 4091

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N2919

hissə-hissə: 2136

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3810

hissə-hissə: 3259

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N6989

hissə-hissə: 4437

Transistor növü: 4 NPN (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3811L

hissə-hissə: 4456

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3811U

hissə-hissə: 4453

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

2N3811

hissə-hissə: 4521

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

hissə-hissə: 1050

Transistor növü: 4 NPN (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

hissə-hissə: 1020

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

hissə-hissə: 4491

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

hissə-hissə: 4488

Transistor növü: 8 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

hissə-hissə: 4551

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

hissə-hissə: 4513

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

hissə-hissə: 4460

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

hissə-hissə: 1613

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

hissə-hissə: 1921

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N6987

hissə-hissə: 1383

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

hissə-hissə: 1675

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

hissə-hissə: 1284

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

hissə-hissə: 163

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

hissə-hissə: 1620

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

hissə-hissə: 301

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

hissə-hissə: 980

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

hissə-hissə: 1262

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Arzu

89

«
1
2
3
»