Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler

Ev
Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler

Microsemi Corporation

JAN2N3810L

hissə-hissə: 2580

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

hissə-hissə: 1586

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

hissə-hissə: 4563

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

hissə-hissə: 1339

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

hissə-hissə: 204

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

hissə-hissə: 4458

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N3810U

hissə-hissə: 1857

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N3810

hissə-hissə: 2500

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N2919U

hissə-hissə: 1225

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811U

hissə-hissə: 4514

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JANTX2N2920U

hissə-hissə: 150

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N3810

hissə-hissə: 4455

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N6988

hissə-hissə: 1482

Transistor növü: 4 PNP (Quad), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2823J-DESC

hissə-hissə: 4497

Transistor növü: 8 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 95V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N3811

hissə-hissə: 5723

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

JAN2N3811L

hissə-hissə: 4466

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Arzu

Microsemi Corporation

SG2023J-883B

hissə-hissə: 6449

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 95V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

89

«
1
2
3
»