Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - FET, MOSFET - Tək
HUF75545S3
ON Semiconductor

HUF75545S3

hissə-hissə: 4

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
HUFA75639G3
ON Semiconductor

HUFA75639G3

hissə-hissə: 10070

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 56A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Arzu
FDU8580
ON Semiconductor

FDU8580

hissə-hissə: 94

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V,

Arzu
SFH9154
ON Semiconductor

SFH9154

hissə-hissə: 10022

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu
NTB75N06LG
ON Semiconductor

NTB75N06LG

hissə-hissə: 288

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V,

Arzu
FDME820NZT
ON Semiconductor

FDME820NZT

hissə-hissə: 189056

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Arzu
ISL9N303AS3
ON Semiconductor

ISL9N303AS3

hissə-hissə: 42

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
NTD18N06
ON Semiconductor

NTD18N06

hissə-hissə: 267

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu
FQI12N50TU
ON Semiconductor

FQI12N50TU

hissə-hissə: 5677

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V,

Arzu
RFG40N10
ON Semiconductor

RFG40N10

hissə-hissə: 61

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu
NTD24N06LG
ON Semiconductor

NTD24N06LG

hissə-hissə: 348

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 24A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 5V,

Arzu
FDD10AN06A0
ON Semiconductor

FDD10AN06A0

hissə-hissə: 94081

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu
ISL9N303AS3ST
ON Semiconductor

ISL9N303AS3ST

hissə-hissə: 36

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
NTD23N03R
ON Semiconductor

NTD23N03R

hissə-hissə: 279

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu
MMDF3N02HDR2
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2

hissə-hissə: 252

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu
HUFA75637S3S
ON Semiconductor

HUFA75637S3S

hissə-hissə: 10061

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 44A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

Arzu
NTB75N03-6G
ON Semiconductor

NTB75N03-6G

hissə-hissə: 302

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Arzu
FQP12N60
ON Semiconductor

FQP12N60

hissə-hissə: 10009

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V,

Arzu
FDAF62N28
ON Semiconductor

FDAF62N28

hissə-hissə: 222

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 280V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 36A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 18A, 10V,

Arzu
HUFA76437S3ST
ON Semiconductor

HUFA76437S3ST

hissə-hissə: 10072

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 71A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 71A, 10V,

Arzu
HUFA75345P3
ON Semiconductor

HUFA75345P3

hissə-hissə: 90

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
FDS6675
ON Semiconductor

FDS6675

hissə-hissə: 96180

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 10V,

Arzu
FQA34N25
ON Semiconductor

FQA34N25

hissə-hissə: 10099

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 34A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 17A, 10V,

Arzu
HUFA75545P3
ON Semiconductor

HUFA75545P3

hissə-hissə: 102

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
FQA47P06
ON Semiconductor

FQA47P06

hissə-hissə: 10039

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 55A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V,

Arzu
FQH44N10
ON Semiconductor

FQH44N10

hissə-hissə: 10054

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 48A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 24A, 10V,

Arzu
FQB12N50TM_AM002
ON Semiconductor

FQB12N50TM_AM002

hissə-hissə: 10020

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V,

Arzu
HUF75337S3S
ON Semiconductor

HUF75337S3S

hissə-hissə: 10061

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu
NTD2955G
ON Semiconductor

NTD2955G

hissə-hissə: 294

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu
FQAF10N80
ON Semiconductor

FQAF10N80

hissə-hissə: 61

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V,

Arzu
FQH90N15
ON Semiconductor

FQH90N15

hissə-hissə: 92

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu
NTMS7N03R2G
ON Semiconductor

NTMS7N03R2G

hissə-hissə: 124119

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Arzu
FQP7N80
ON Semiconductor

FQP7N80

hissə-hissə: 10034

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V,

Arzu
NTD18N06L-1G
ON Semiconductor

NTD18N06L-1G

hissə-hissə: 275

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 5V,

Arzu
FQA17N40
ON Semiconductor

FQA17N40

hissə-hissə: 10078

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.6A, 10V,

Arzu
NDP7061
ON Semiconductor

NDP7061

hissə-hissə: 6003

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 64A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 35A, 10V,

Arzu