Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

Ev
Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

STMicroelectronics

STFI13N80K5

hissə-hissə: 42022

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF11N52K3

hissə-hissə: 9074

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 525V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP5N52K3

hissə-hissə: 9066

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 525V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STV160NF02LAT4

hissə-hissə: 9106

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 160A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW75N20

hissə-hissə: 9041

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP30N20

hissə-hissə: 9069

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STS5PF30L

hissə-hissə: 150967

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP12NM50FD

hissə-hissə: 9043

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU27N3LH5

hissə-hissə: 9099

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 27A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 13.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB23NM60N

hissə-hissə: 8716

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 19A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF20NM60D

hissə-hissə: 8826

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STV250N55F3

hissə-hissə: 5908

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF150N10F7

hissə-hissə: 19917

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 65A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 55A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB80NF55-08-1

hissə-hissə: 5895

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB40N20

hissə-hissə: 8729

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP14NF12FP

hissə-hissə: 107910

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 120V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 7A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STH110N10F7-6

hissə-hissə: 46151

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 110A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 55A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STD90N4F3

hissə-hissə: 8745

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP5NK65Z

hissə-hissə: 8799

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.1A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU95N3LLH6

hissə-hissə: 8745

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB130NS04ZBT4

hissə-hissə: 8671

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 33V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STI35N65M5

hissə-hissə: 11899

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 27A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 13.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF32N65M5

hissə-hissə: 8771

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 24A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119 mOhm @ 12A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP90N4F3

hissə-hissə: 8719

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB6NM60N

hissə-hissə: 8742

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 2.3A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW80NF55-08

hissə-hissə: 8760

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STD2NK70ZT4

hissə-hissə: 8744

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 800mA, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STL17N3LLH6

hissə-hissə: 8782

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 8.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP9NM50N

hissə-hissə: 8706

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.7A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP60NH2LL

hissə-hissə: 8754

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 24V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STI17NF25

hissə-hissə: 8766

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STB50NF25

hissə-hissə: 8757

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 22A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STD110NH02LT4

hissə-hissə: 8678

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 24V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STFILED625

hissə-hissə: 8846

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 620V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP200N4F3

hissə-hissə: 8810

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW150NF55

hissə-hissə: 8810

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V,

Arzu

2198

«
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
»