Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 10mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.75V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.75V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.2V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,
Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.75V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.75V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,
Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.75V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,
Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,
Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,