Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
MBR1645HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1645HC0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1650 C0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAS803G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS803G MNG

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UGA15120 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120 C0G

hissə-hissə: 68

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.9V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 65ns,

Arzu
SFS1006GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1006GHMNG

hissə-hissə: 85

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
GPA805 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA805 C0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFS1001GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1001GHMNG

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF1004GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GAHC0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
ES15JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15JLWHRVG

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRF10200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10200 C0G

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HERAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1002G C0G

hissə-hissə: 74

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
MBRF745 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF745 C0G

hissə-hissə: 75

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1690 C0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF760HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760HC0G

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF5150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5150HC0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAF803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF803GHC0G

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRA20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20150 C0G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HERAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1001G C0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SFAF505GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF505GHC0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
S1GFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GFSHMXG

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF2050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050 C0G

hissə-hissə: 110

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 820mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF2050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050HC0G

hissə-hissə: 93

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 820mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAS806GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS806GHMNG

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TPMR10D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TPMR10D S1G

hissə-hissə: 67

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAS808G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS808G MNG

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF502GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF502GHC0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 2.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HERA807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA807G C0G

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 80ns,

Arzu
MBR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16150 C0G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFF1001GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GA C0G

hissə-hissə: 89

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HERAF803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF803G C0G

hissə-hissə: 90

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
HT17G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT17G A0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SFAF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1603G C0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF505G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF505G C0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1607G C0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MUR190A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190A A0G

hissə-hissə: 143

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 900V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
MBR1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635 C0G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu