Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SR1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1040HC0G

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1604GHC0G

hissə-hissə: 144

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
LSR105 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR105 L0G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAF507GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF507GHC0G

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1607GHC0G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1605GHC0G

hissə-hissə: 83

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSOD1F10HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F10HM RVG

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
SFAF804GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF804GHC0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF501G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF501G C0G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 2.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001G C0G

hissə-hissə: 68

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UGF8JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JHC0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.9V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
RS1KFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KFSHMXG

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
S1DLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RVG

hissə-hissə: 69

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR860HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR860HC0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SFF504GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF504GHC0G

hissə-hissə: 106

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 2.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2001GHC0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1007G C0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1604G C0G

hissə-hissə: 72

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRF1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1645 C0G

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1604GHC0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF501GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF501GHC0G

hissə-hissə: 118

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSOD1F2HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F2HM RVG

hissə-hissə: 63

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SFAS807GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS807GHMNG

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF808G C0G

hissə-hissə: 72

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFAF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1601G C0G

hissə-hissə: 123

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRF1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1060HC0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050 C0G

hissə-hissə: 66

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S1KFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KFS MXG

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF2045 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045 C0G

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608GHC0G

hissə-hissə: 70

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFS1005GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1005GHMNG

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
RS1KFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KFS MXG

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
SFAF503GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF503GHC0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFS1006G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1006G MNG

hissə-hissə: 89

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRF5200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5200 C0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFAS805GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS805GHMNG

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu