Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

UF1GHR0G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR105HR1G

hissə-hissə: 92

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS820HMNG

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

GPA801 C0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR103 R0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF16GHR0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

UF4001HR0G

hissə-hissə: 90

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF64GHB0G

hissə-hissə: 118

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR103 A0G

hissə-hissə: 176

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1605G C0G

hissə-hissə: 67

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR802HR0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

HT15G A1G

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2030 C0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

UF1B B0G

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF18GHB0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035 C0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1606G MNG

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR102G R0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF65GHA0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR303HR0G

hissə-hissə: 75

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060HC0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1645HC0G

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF1602GHC0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF1601G C0G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF2006PT C0G

hissə-hissə: 106

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR009HR0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF37G B0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT12GHR0G

hissə-hissə: 96

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L60 B0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.28V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR306 R0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF33G B0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2090 C0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF808G C0G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR103G R0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF14G B0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF1608G C0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu