Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SR1502HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1502HB0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFA1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1002GHC0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR810 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810 R0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF18G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF18G R0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR004 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR004 R0G

hissə-hissə: 78

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1003G C0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRAS2030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2030HMNG

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBR10200HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200HC0G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T3G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T3G A0G

hissə-hissə: 77

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SF1601PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1601PT C0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HS1KLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1KLW RVG

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
UF1MHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1MHR1G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
MBR1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050 C0G

hissə-hissə: 73

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBRF1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1660HC0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFS1007GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1007GHMNG

hissə-hissə: 134

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF32G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF32G B0G

hissə-hissə: 99

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF63G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF63G A0G

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR315HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR315HR0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFT11GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT11GHA1G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MUR160AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHR0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
HERAF807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF807G C0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 80ns,

Arzu
SR002 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR002 R0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1603G C0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRT13 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT13 A0G

hissə-hissə: 86

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1004G C0G

hissə-hissə: 93

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1202 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202 R0G

hissə-hissə: 78

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR1504HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1504HB0G

hissə-hissə: 153

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
UF1AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1AHR0G

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
MBRS1045 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1045 MNG

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFS1608GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1608GHMNG

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRT110 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT110 A1G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR820HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR820HC0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
SR305 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR305 R0G

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR010HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HR0G

hissə-hissə: 78

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T4G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4G R0G

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SFAF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1605GHC0G

hissə-hissə: 106

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu