Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

1N5820HA0G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 475mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1T7G R0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933G A0G

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G B0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001GHR1G

hissə-hissə: 110

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1T1G A1G

hissə-hissə: 118

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 B0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G A0G

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHB0G

hissə-hissə: 85

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHB0G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHA0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHA0G

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933G B0G

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006G R1G

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHA0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HA0G

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHR1G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G R1G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G A0G

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHA0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1T2G A0G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G R0G

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G B0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G R0G

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHB0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HB0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G A0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G B0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHB0G

hissə-hissə: 114

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHB0G

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G B0G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHA0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHA0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G B0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G A0G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHB0G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu