Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

hissə-hissə: 176

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

hissə-hissə: 186

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

hissə-hissə: 206

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

hissə-hissə: 139

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

hissə-hissə: 198

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

hissə-hissə: 195

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
6A40G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G R0G

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A10G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G B0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A100G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G B0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A60GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHR0G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A60G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G R0G

hissə-hissə: 147

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A80GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHB0G

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A40GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHR0G

hissə-hissə: 99

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A60GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHA0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A05G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G R0G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A05GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHA0G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHA0G

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A100GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHR0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A40G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G A0G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHB0G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A60GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHB0G

hissə-hissə: 165

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A60G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G B0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A100G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G R0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G R0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A40GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHB0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHA0G

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu