Menu
AzərbaycanAzərbaycan
0RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SF18GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF18GHA0G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1503 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503 A0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SRT15 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT15 R0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR106HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR106HB0G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFT14GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14GHA1G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA10100HC0G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA801G C0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF31G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31G A0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR103HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR103HB0G

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF15G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF15G B0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF1J B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J B0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SRA20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20100 C0G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
UF4003 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4003 B0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR1203HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203HB0G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF64G A0G

hissə-hissə: 84

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFT13G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13G A1G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF808GHC0G

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1503HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503HB0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF806GHC0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF42G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF42G B0G

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF67G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF67G B0G

hissə-hissə: 86

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
GPAS1007 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1007 MNG

hissə-hissə: 153

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HER606G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER606G R0G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SFT15GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT15GHA1G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
FR151GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR151GHB0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SF23G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF23G B0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRA1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1050 C0G

hissə-hissə: 151

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA10150 C0G

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HER602G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER602G R0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SF41GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF41GHA0G

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1204HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204HB0G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF35G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF35G B0G

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1020HC0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR003 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR003 R1G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF41G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF41G A0G

hissə-hissə: 129

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090HMNG

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu