Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SFA808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA808GHC0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF1J R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J R1G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SRAF1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1660 C0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HER108G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER108G B0G

hissə-hissə: 151

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SFT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT11G A0G

hissə-hissə: 165

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF4004HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4004HB0G

hissə-hissə: 113

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR315 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR315 B0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF803GHC0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRA1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1650HC0G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SRA1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1020 C0G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR502 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR502 A0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T5G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T5G R0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
SR1204 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204 B0G

hissə-hissə: 118

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFT12GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT12GHA1G

hissə-hissə: 123

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFA803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA803GHC0G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR1503 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503 R0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFT16GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT16GHA1G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF1JHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1JHA0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SRT16 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 R0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR504 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR504 B0G

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MBR750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR750 C0G

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF31G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31G B0G

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HER605G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER605G R0G

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR309HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR309HA0G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HER308G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER308G B0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
ESJLWHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ESJLWHRQG

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 800mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBR7150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR7150HC0G

hissə-hissə: 101

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T7GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7GHA1G

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
SF38GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF38GHA0G

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SRAF5150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF5150 C0G

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T7G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7G R0G

hissə-hissə: 86

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
UF4006HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006HB0G

hissə-hissə: 89

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SK12H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK12H45 B0G

hissə-hissə: 143

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR160AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHA0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
UF4002 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4002 B0G

hissə-hissə: 90

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
UF4005HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4005HB0G

hissə-hissə: 92

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu