Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

SRT19 A0G

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF17G A0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR809HB0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR153G B0G

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190HA0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 900V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR209HR0G

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR005 B0G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF540HC0G

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

HER603G A0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFA802G C0G

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050HMNG

hissə-hissə: 101

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF42GHA0G

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR506 B0G

hissə-hissə: 124

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR815HB0G

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR205 R0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1690HC0G

hissə-hissə: 90

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1690 C0G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

GPA804HC0G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR509HA0G

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2060 C0G

hissə-hissə: 78

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR510HB0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4G A0G

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1001GHC0G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF67GHB0G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

UF1DHB0G

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT18GHR0G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR220 R0G

hissə-hissə: 99

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR806 B0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14G R0G

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

HT12G A0G

hissə-hissə: 87

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13GHA1G

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202HB0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

UF1BHA0G

hissə-hissə: 92

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR503HB0G

hissə-hissə: 141

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202 B0G

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT18GHA0G

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu