Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SR004 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR004 A0G

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF31GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31GHA0G

hissə-hissə: 101

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150HMNG

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF16GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF16GHB0G

hissə-hissə: 114

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
F1T1GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T1GHR0G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SF66G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF66G B0G

hissə-hissə: 138

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF62G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF62G A0G

hissə-hissə: 150

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBR760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR760 C0G

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF37GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF37GHB0G

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HER303G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER303G B0G

hissə-hissə: 139

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
MBRS1090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090 MNG

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HER104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER104G A0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SF17G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF17G B0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SFT11G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT11G A1G

hissə-hissə: 176

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
FR152GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR152GHB0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SR109HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR109HR1G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF16G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF16G B0G

hissə-hissə: 77

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF806G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF806G C0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBR735HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR735HC0G

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR510 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR510 B0G

hissə-hissə: 86

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SFT13GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13GHA0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF46GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF46GHA0G

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UF4002HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4002HA0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SRA16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA16100HC0G

hissə-hissə: 143

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 16A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
UF1BHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1BHR1G

hissə-hissə: 133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR1503 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503 B0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
UF1DHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1DHR1G

hissə-hissə: 155

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
UF4007HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HA0G

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
HER602G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER602G B0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SR202HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR202HR0G

hissə-hissə: 86

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR002 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR002 A0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
F1T4GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4GHA1G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SF42G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF42G A0G

hissə-hissə: 81

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MBRS1050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050 MNG

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MURF10L60 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF10L60 C0G

hissə-hissə: 78

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 65ns,

Arzu
UF1AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1AHR1G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu