Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

UG54GHA0G

hissə-hissə: 165

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 20ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR206HB0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR304HA0G

hissə-hissə: 99

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR205G A0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SS26HM4G

hissə-hissə: 110

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR303G B0G

hissə-hissə: 108

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

S1GHR3G

hissə-hissə: 115

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2LD R5G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 940mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR203G A0G

hissə-hissə: 180

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR156G B0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SK34A M2G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RUG

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L8G B0G

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR204 B0G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SK310BHR5G

hissə-hissə: 149

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

HER155G B0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L4GHA0G

hissə-hissə: 109

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360SHR7G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHRVG

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF28G B0G

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR209HB0G

hissə-hissə: 97

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR157G B0G

hissə-hissə: 194

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR210 B0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SS16HM2G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

FR304G A0G

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420HA0G

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

LL5817 L0G

hissə-hissə: 185

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR302HA0G

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SS13L RUG

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7G A0G

hissə-hissə: 187

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

S3DHR7G

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLHRUG

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.8µs,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHR3G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

SR205HA0G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

S8GCHM6G

hissə-hissə: 194

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 985mV @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL RFG

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 800mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu