Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
S10JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10JCHM6G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SR206 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR206 B0G

hissə-hissə: 196

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
LL4005G L0
Taiwan Semiconductor Corporation

LL4005G L0

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL RVG

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 800mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SR209 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR209 B0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR190 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190 B0G

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 900V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SF26G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF26G R0G

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF65GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF65GHR0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HER201G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER201G R0G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
MUR105SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR105SHR5G

hissə-hissə: 126

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
TS4148C RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

TS4148C RCG

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
SF31GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31GHR0G

hissə-hissə: 188

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
FR205G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR205G R0G

hissə-hissə: 141

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

Arzu
SF45G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF45G R0G

hissə-hissə: 194

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
ES2LJ R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2LJ R5G

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
MUR420HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420HR0G

hissə-hissə: 186

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
MUR120SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR120SHM4G

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
SK320B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320B R5G

hissə-hissə: 129

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SF2001PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2001PT C0G

hissə-hissə: 199

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SK34B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK34B R5G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR110SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR110SHR5G

hissə-hissə: 148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 875mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
SK36AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK36AHR3G

hissə-hissə: 181

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS19 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19 M2G

hissə-hissə: 199

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BHM2G

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SF47GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF47GHR0G

hissə-hissə: 125

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
FR207G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR207G R0G

hissə-hissə: 141

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
SR115 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR115 A0G

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR4L40 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L40 R0G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.28V @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
ES2DVHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DVHM4G

hissə-hissə: 169

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 20ns,

Arzu
SF64G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF64G R0G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 975mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
HS2M R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2M R5G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
SF3006PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF3006PTHC0G

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF32G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF32G R0G

hissə-hissə: 124

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SF2L8GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L8GHR0G

hissə-hissə: 203

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
SR302 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR302 A0G

hissə-hissə: 200

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR190 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190 R0G

hissə-hissə: 165

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 900V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu