Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 2

BAV70,LM

hissə-hissə: 3367

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 215mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

hissə-hissə: 3300

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

hissə-hissə: 3315

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 215mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

hissə-hissə: 151

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

hissə-hissə: 111

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

hissə-hissə: 99

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

hissə-hissə: 125

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

hissə-hissə: 196401

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

hissə-hissə: 12490

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

hissə-hissə: 146

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

hissə-hissə: 10959

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 8A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

hissə-hissə: 109

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

hissə-hissə: 106201

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 140mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

hissə-hissə: 105421

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair CA + CC, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

hissə-hissə: 159197

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair CA + CC, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

hissə-hissə: 171499

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 215mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

hissə-hissə: 8001

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

hissə-hissə: 7444

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

hissə-hissə: 191091

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

hissə-hissə: 124987

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

hissə-hissə: 130979

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

hissə-hissə: 4548

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

hissə-hissə: 166431

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

hissə-hissə: 170816

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

hissə-hissə: 16260

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

hissə-hissə: 191404

Diod Konfiqurasiyası: 2 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

hissə-hissə: 127689

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 215mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

hissə-hissə: 4160

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

hissə-hissə: 4087

Diod Konfiqurasiyası: 3 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

hissə-hissə: 3899

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

hissə-hissə: 120020

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

hissə-hissə: 167920

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu