Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 152609

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 98

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 124

Transistor növü: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 114931

Transistor növü: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 137653

Transistor növü: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

hissə-hissə: 153875

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 9987

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 115889

Transistor növü: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

hissə-hissə: 4365

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

hissə-hissə: 167758

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

hissə-hissə: 115887

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Arzu
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

hissə-hissə: 179411

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 4432

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

hissə-hissə: 124168

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

hissə-hissə: 104094

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

hissə-hissə: 147055

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

hissə-hissə: 104803

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

hissə-hissə: 104

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Arzu
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

hissə-hissə: 184759

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 4437

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

hissə-hissə: 4500

Transistor növü: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

hissə-hissə: 4488

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

hissə-hissə: 184335

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

hissə-hissə: 4476

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

hissə-hissə: 4401

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

hissə-hissə: 6508

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

hissə-hissə: 151500

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

hissə-hissə: 4471

Transistor növü: 8 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

hissə-hissə: 9945

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Arzu
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

hissə-hissə: 111105

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

hissə-hissə: 4492

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

hissə-hissə: 4430

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

hissə-hissə: 76

Transistor növü: NPN, PNP (Emitter Coupled), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Arzu
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

hissə-hissə: 4464

Transistor növü: 8 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

hissə-hissə: 4503

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

hissə-hissə: 9904

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu