Optoisolators - Transistor, Fotovoltaik Çıx | İzolyatorlar | 11

TLP292-4(LA,E

hissə-hissə: 50525

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGB,E

hissə-hissə: 50524

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATRE

hissə-hissə: 151683

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TR,E

hissə-hissə: 151713

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP632(GB,F)

hissə-hissə: 46966

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPL,E

hissə-hissə: 9942

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 1000% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 50µs, 15µs, Rise / Fall Time (Tip): 40µs, 15µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPL,E

hissə-hissə: 9999

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2303(TPL,E

hissə-hissə: 179534

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 500% @ 5mA,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LGB,E

hissə-hissə: 50568

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB,SE

hissə-hissə: 159226

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 7µs, 7µs, Rise / Fall Time (Tip): 4µs, 7µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP631(F)

hissə-hissə: 2606

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(BL-TPL,SE

hissə-hissə: 117114

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 200% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LA-TP,E

hissə-hissə: 160464

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTR,E

hissə-hissə: 151734

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2530(F)

hissə-hissə: 41674

Kanalların sayı: 2, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 7% @ 16mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 300ns, 500ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TL,E

hissə-hissə: 9996

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR,F)

hissə-hissə: 135682

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATPE

hissə-hissə: 151689

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-GB,E

hissə-hissə: 53541

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB,E

hissə-hissə: 53544

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TP,E

hissə-hissə: 160451

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR-TPL,SE

hissə-hissə: 109314

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 300% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TP,E

hissə-hissə: 151729

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTRE

hissə-hissə: 151698

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TPR,E

hissə-hissə: 151687

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TR,E

hissə-hissə: 160497

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTRE

hissə-hissə: 151724

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(F)

hissə-hissə: 135607

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP559(F)

hissə-hissə: 25416

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 2500Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 20% @ 16mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 200ns, 300ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(E)

hissə-hissə: 106154

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 9µs, 9µs, Rise / Fall Time (Tip): 5µs, 9µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(E

hissə-hissə: 53477

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 5mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 5mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATPE

hissə-hissə: 160515

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA-TR,E

hissə-hissə: 151681

Kanalların sayı: 4, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 50% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 600% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL-TPL,E

hissə-hissə: 173727

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 200% @ 500µA, Cari Transfer Oranı (Maks): 400% @ 500µA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 3µs, 3µs, Rise / Fall Time (Tip): 2µs, 3µs,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(IGM-TPR,E

hissə-hissə: 9983

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 3750Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 25% @ 10mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 75% @ 10mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 450ns, 450ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(F)

hissə-hissə: 46370

Kanalların sayı: 1, Gərginlik - Təcrid: 5000Vrms, Cari ötürmə nisbəti (Min): 100% @ 1mA, Cari Transfer Oranı (Maks): 1200% @ 1mA, Aç / Söndürmə vaxtı (Tip): 10µs, 8µs, Rise / Fall Time (Tip): 8µs, 8µs,

Arzu