Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

Ev
Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

TPH3202PD

hissə-hissə: 7016

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Arzu

TPH3205WSB

hissə-hissə: 3254

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 36A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

Arzu

TPH3208PD

hissə-hissə: 986

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Arzu

TPH3207WS

hissə-hissə: 2351

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

Arzu

TPH3206LS

hissə-hissə: 6040

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Arzu

TPH3208LS

hissə-hissə: 5664

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Arzu

TPH3208PS

hissə-hissə: 6263

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Arzu

TPH3206PD

hissə-hissə: 5709

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Arzu

TPH3206PS

hissə-hissə: 6777

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Arzu

TP65H035WS

hissə-hissə: 2828

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 46.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

TPH3208LDG

hissə-hissə: 5597

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Arzu

TPH3206LDGB

hissə-hissə: 6072

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Arzu

TP65H050WS

hissə-hissə: 1890

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 34A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

Arzu

TPH3206LD

hissə-hissə: 6066

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

Arzu

TPH3208LSG

hissə-hissə: 1701

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

Arzu

TPH3205WSBQA

hissə-hissə: 2970

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

Arzu

TPH3206PSB

hissə-hissə: 6741

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Arzu

TP90H180PS

hissə-hissə: 2997

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

TPH3206LSB

hissə-hissə: 6120

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Arzu

TPH3212PS

hissə-hissə: 4430

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 27A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

Arzu

TPH3202LD

hissə-hissə: 6662

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Arzu

TPH3202LS

hissə-hissə: 6623

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Arzu

TPH3208LD

hissə-hissə: 5648

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

Arzu

TPH3202PS

hissə-hissə: 7016

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

Arzu

TPH3206LDB

hissə-hissə: 6074

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

Arzu

25