Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

SIRA24DP-T1-GE3

hissə-hissə: 188332

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRFU9020PBF

hissə-hissə: 80861

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7465DP-T1-GE3

hissə-hissə: 125217

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-E3

hissə-hissə: 73626

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIA431DJ-T1-GE3

hissə-hissə: 180442

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI8416DB-T2-E1

hissə-hissə: 130328

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 8V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRFR220TRRPBF

hissə-hissə: 104776

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRFR220TRLPBF

hissə-hissə: 163122

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHD14N60E-GE3

hissə-hissə: 28965

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309 mOhm @ 7A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIB417AEDK-T1-GE3

hissə-hissə: 104428

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 8V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI8413DB-T1-E1

hissə-hissə: 118880

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 1A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-E3

hissə-hissə: 132166

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQ1470EH-T1-GE3

hissə-hissə: 1239

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIRA72DP-T1-GE3

hissə-hissə: 137056

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRFR9014TRLPBF

hissə-hissə: 108095

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIS468DN-T1-GE3

hissə-hissə: 125215

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7818DN-T1-GE3

hissə-hissə: 99113

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 3.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQJ454EP-T1_GE3

hissə-hissə: 152475

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQS482EN-T1_GE3

hissə-hissə: 191332

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHJ7N65E-T1-GE3

hissə-hissə: 59620

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR864DP-T1-GE3

hissə-hissə: 153398

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHU4N80E-GE3

hissə-hissə: 9907

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27 Ohm @ 2A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRL510PBF

hissə-hissə: 54692

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-GE3

hissə-hissə: 147267

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-E3

hissə-hissə: 33678

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

IRFR014TRLPBF

hissə-hissə: 103882

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIUD403ED-T1-GE3

hissə-hissə: 174576

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQA403EJ-T1_GE3

hissə-hissə: 9904

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI5459DU-T1-GE3

hissə-hissə: 162995

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIA408DJ-T1-GE3

hissə-hissə: 182914

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI3424BDV-T1-GE3

hissə-hissə: 167116

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI2316BDS-T1-E3

hissə-hissə: 130654

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SUD17N25-165-E3

hissə-hissə: 1435

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIDR870ADP-T1-GE3

hissə-hissə: 9968

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 95A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7308DN-T1-E3

hissə-hissə: 139856

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

TN2404K-T1-GE3

hissə-hissə: 199710

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 240V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Arzu