Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

SIA441DJ-T1-GE3

hissə-hissə: 111388

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM40N15-38_GE3

hissə-hissə: 50212

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHP18N60E-GE3

hissə-hissə: 8094

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202 mOhm @ 9A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQJQ410EL-T1_GE3

hissə-hissə: 54803

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR870ADP-T1-RE3

hissə-hissə: 7921

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM50P08-25L_GE3

hissə-hissə: 8060

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-E3

hissə-hissə: 89672

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM100N04-2M7_GE3

hissə-hissə: 54046

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7625DN-T1-GE3

hissə-hissə: 146833

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHP7N60E-E3

hissə-hissə: 68110

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-GE3

hissə-hissə: 169805

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI4840BDY-T1-E3

hissə-hissə: 113559

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 19A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.4A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM40061EL_GE3

hissə-hissə: 5795

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI9435BDY-T1-E3

hissə-hissə: 156461

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR871DP-T1-GE3

hissə-hissə: 7949

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 48A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SUM60030E-GE3

hissə-hissə: 40410

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIE882DF-T1-GE3

hissə-hissə: 60960

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SUD19N20-90-E3

hissə-hissə: 55792

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 19A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQP50P03-07_GE3

hissə-hissə: 5858

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI1050X-T1-GE3

hissə-hissə: 176985

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 8V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.34A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR872DP-T1-GE3

hissə-hissə: 53485

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR440DP-T1-GE3

hissə-hissə: 75878

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7788DP-T1-GE3

hissə-hissə: 53122

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-E3

hissə-hissə: 80879

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI4626ADY-T1-E3

hissə-hissə: 70488

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM200N04-1M8_GE3

hissə-hissə: 5861

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHF7N60E-GE3

hissə-hissə: 7919

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI2325DS-T1-E3

hissə-hissə: 163982

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 530mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR688DP-T1-GE3

hissə-hissə: 76252

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 60A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHA12N50E-E3

hissə-hissə: 35246

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SI4434ADY-T1-GE3

hissə-hissə: 7910

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHJ6N65E-T1-GE3

hissə-hissə: 71835

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 868 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM50P06-15L_GE3

hissə-hissə: 8070

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 17A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SQM25N15-52_GE3

hissə-hissə: 8048

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 25A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIHP6N65E-GE3

hissə-hissə: 5867

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu

Vishay Siliconix

SIR872ADP-T1-RE3

hissə-hissə: 7954

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu