Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-18

hissə-hissə: 102179

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-18

hissə-hissə: 173731

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-E3-18

hissə-hissə: 189318

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 6ns,

Arzu
BAV19W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-18

hissə-hissə: 190225

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR

hissə-hissə: 129725

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR3

hissə-hissə: 101405

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV301-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR3

hissə-hissə: 162148

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV303-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR3

hissə-hissə: 133566

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAQ333-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR3

hissə-hissə: 100523

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR

hissə-hissə: 126194

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR

hissə-hissə: 157417

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR3

hissə-hissə: 156476

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR3

hissə-hissə: 154114

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR

hissə-hissə: 181840

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAV303-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR

hissə-hissə: 144669

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR3

hissə-hissə: 133482

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAQ334-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR3

hissə-hissə: 175005

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR

hissə-hissə: 130859

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV302-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR3

hissə-hissə: 124655

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR3

hissə-hissə: 155909

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR3

hissə-hissə: 153770

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR

hissə-hissə: 152369

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAQ335-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR3

hissə-hissə: 119211

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 125V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BY127MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGPHE3/54

hissə-hissə: 127537

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1250V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.75A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
BYD13GGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGPHE3/73

hissə-hissə: 192350

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

Arzu
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200/32

hissə-hissə: 142220

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
BYW83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83TAP

hissə-hissə: 197438

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 7.5µs,

Arzu
BYV28-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TAP

hissə-hissə: 158574

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
BYT56A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TR

hissə-hissə: 105112

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
BYV98-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TAP

hissə-hissə: 183546

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
BYT56K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TAP

hissə-hissə: 193746

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
BYT56J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TR

hissə-hissə: 197463

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
BYW75TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TAP

hissə-hissə: 190284

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

Arzu
BYW172G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TAP

hissə-hissə: 180370

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 9A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
BY228GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/54

hissə-hissə: 135951

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1500V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 2.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

Arzu
BYW172D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172D-TR

hissə-hissə: 186840

Diyot növü: Avalanche, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 9A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu