Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

hissə-hissə: 112349

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.47µs,

Arzu
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

hissə-hissə: 182602

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 7A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 670mV @ 7A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

hissə-hissə: 171353

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.47µs,

Arzu
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

hissə-hissə: 141131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

hissə-hissə: 92

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

hissə-hissə: 188033

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

hissə-hissə: 177394

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 940mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 22ns,

Arzu
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

hissə-hissə: 92742

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

hissə-hissə: 178133

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.16V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.3µs,

Arzu
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

hissə-hissə: 101974

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 4A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2.5µs,

Arzu
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

hissə-hissə: 180596

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 790mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

hissə-hissə: 124

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

hissə-hissə: 157059

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 560mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

hissə-hissə: 128585

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

hissə-hissə: 163508

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

hissə-hissə: 199224

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 4.3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

hissə-hissə: 107

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.08V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

hissə-hissə: 116384

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 930mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

hissə-hissə: 68

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

hissə-hissə: 103724

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 930mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

hissə-hissə: 1361

Diyot növü: Standard, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 400A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.62V @ 1500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

hissə-hissə: 741

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 400A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.62V @ 1500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

hissə-hissə: 114

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 530mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

hissə-hissə: 160229

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.9A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 830mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

hissə-hissə: 188473

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3.7A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 420mV @ 4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

hissə-hissə: 99042

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 560mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

hissə-hissə: 119037

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.16V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.3µs,

Arzu
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

hissə-hissə: 67

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu