Tip | Təsvir |
Hissə statusu | Obsolete |
---|---|
FET növü | - |
Texnologiya | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 650V |
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 16A (Tc) (155°C) |
Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 16A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Maks) | - |
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 1534pF @ 35V |
FET xüsusiyyət | - |
Güc Dağılımı (Maksimum) | 330W (Tc) |
Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Montaj növü | Surface Mount |
Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-276 |
Paket / Qutu | TO-276AA |
Rohs statusu | Rohs uyğun |
---|---|
Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
Fond kateqoriyası | Mövcud fond |