Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

AOD5T40P_101

hissə-hissə: 2281

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

hissə-hissə: 2324

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

hissə-hissə: 6236

AO4476AL_101

hissə-hissə: 6299

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

hissə-hissə: 6236

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

hissə-hissə: 2299

AO4476AL

hissə-hissə: 2255

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

hissə-hissə: 2332

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

hissə-hissə: 2318

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 36A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

hissə-hissə: 40984

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Ta), 105A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

hissə-hissə: 2224

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

hissə-hissə: 2273

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 85A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

hissə-hissə: 6225

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 47A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

hissə-hissə: 2263

AOD4185_DELTA

hissə-hissə: 6259

AOD413A_002

hissə-hissə: 2224

AO6409_DELTA

hissə-hissə: 2305

AO3424_102

hissə-hissə: 6306

AO3419_101

hissə-hissə: 2233

AO3423_102

hissə-hissə: 2275

AO3416_104

hissə-hissə: 2284

AO3415L_107

hissə-hissə: 2282

AO3415_108

hissə-hissə: 6278

AO3406_104

hissə-hissə: 2286

AO3409_103

hissə-hissə: 2287

AO3404A_104

hissə-hissə: 2245

AO3402_103

hissə-hissə: 2283

AOD4185L_DELTA

hissə-hissə: 2225

AO3400A_101

hissə-hissə: 2208

APT5SM170S

hissə-hissə: 2313

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

hissə-hissə: 2239

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

hissə-hissə: 2305

Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A,

APT130SM70J

hissə-hissə: 2271

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 78A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

hissə-hissə: 2237

FET növü: N-Channel, Texnologiya: SiCFET (Silicon Carbide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 700V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 110A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

hissə-hissə: 6282

AUIRLR024ZTRL

hissə-hissə: 141585

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,