Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

MBRD660CTG

hissə-hissə: 81424

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

hissə-hissə: 69

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.05V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

hissə-hissə: 1564

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

hissə-hissə: 1548

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

hissə-hissə: 1563

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 150A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

hissə-hissə: 1533

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

hissə-hissə: 1212

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

hissə-hissə: 1519

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

hissə-hissə: 3870

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 50A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

hissə-hissə: 1156

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

hissə-hissə: 3030

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

hissə-hissə: 1552

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

hissə-hissə: 1213

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

hissə-hissə: 972

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

hissə-hissə: 1324

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

hissə-hissə: 1192

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Reverse Polarity, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 500A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 250A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

hissə-hissə: 3096

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

hissə-hissə: 1844

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

hissə-hissə: 1342

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

hissə-hissə: 1491

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

FST160150

hissə-hissə: 1636

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

hissə-hissə: 100592

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 970mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

hissə-hissə: 109388

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

hissə-hissə: 128134

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 730mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

hissə-hissə: 102836

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

hissə-hissə: 67167

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

hissə-hissə: 116952

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 680mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

hissə-hissə: 121490

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 730mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

hissə-hissə: 47709

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 640mV @ 30A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

hissə-hissə: 159782

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.01V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

hissə-hissə: 58911

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

hissə-hissə: 40301

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

hissə-hissə: 120106

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

hissə-hissə: 157

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

hissə-hissə: 152

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.23V @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

hissə-hissə: 3747

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına