Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

RB088NS150FHTL

hissə-hissə: 107

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

hissə-hissə: 142

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

hissə-hissə: 168202

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 75mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

İstək siyahısına

Powerex Inc.

ND412426

hissə-hissə: 171

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 2400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 260A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.35V @ 1500A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Powerex Inc.

ND410635

hissə-hissə: 119

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 350A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1000A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

hissə-hissə: 138

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

hissə-hissə: 132

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

hissə-hissə: 169

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

hissə-hissə: 74

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

hissə-hissə: 113

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

hissə-hissə: 132

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

hissə-hissə: 141

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

hissə-hissə: 79

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 8A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

hissə-hissə: 107

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

hissə-hissə: 113

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

hissə-hissə: 98

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

hissə-hissə: 82

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

hissə-hissə: 68

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

hissə-hissə: 160

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 16A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

hissə-hissə: 117

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

hissə-hissə: 120

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 40A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

hissə-hissə: 130

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

hissə-hissə: 92

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

hissə-hissə: 111

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

hissə-hissə: 160

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

hissə-hissə: 144

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.02V @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

hissə-hissə: 52621

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

hissə-hissə: 115878

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 7.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 7.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

hissə-hissə: 41679

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

hissə-hissə: 176480

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

hissə-hissə: 76898

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

hissə-hissə: 87159

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 720mV @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

hissə-hissə: 1344

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 250A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 250A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

hissə-hissə: 1195

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 400A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

hissə-hissə: 171499

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 215mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

hissə-hissə: 102317

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına