Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, &Ouml;nc&uu

DDTB143TU-7-F

hissə-hissə: 171626

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTC143ZLP-7

hissə-hissə: 167812

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTA124XE-7-F

hissə-hissə: 106332

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTA144EKA-7-F

hissə-hissə: 1900

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTA115TCA-7-F

hissə-hissə: 191696

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTA122LE-7-F

hissə-hissə: 127148

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 220 Ohms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTC143FUA-7-F

hissə-hissə: 155034

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTC124EUA-7-F

hissə-hissə: 9982

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DDTC144EKA-7-F

hissə-hissə: 3239

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

DDTC114EE-7-F

hissə-hissə: 102494

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

RN1104ACT(TPL3)

hissə-hissə: 1956

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

hissə-hissə: 126325

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

UNR411H00A

hissə-hissə: 1962

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

UNR911TG0L

hissə-hissə: 1889

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

UNR92ALG0L

hissə-hissə: 1970

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

UNR511EG0L

hissə-hissə: 1970

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

UNR511F00L

hissə-hissə: 166775

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

DTA113ZCAHZGT116

hissə-hissə: 9941

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

DTC123YETL

hissə-hissə: 137111

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

DTA114GKAT146

hissə-hissə: 143116

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC124TK,115

hissə-hissə: 1921

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA124EE,115

hissə-hissə: 1920

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC124EK,115

hissə-hissə: 2035

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC124TS,126

hissə-hissə: 1989

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA144TE,115

hissə-hissə: 3251

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PDTC124EU,115

hissə-hissə: 109049

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PDTD123TT,215

hissə-hissə: 187852

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PDTD123ET,215

hissə-hissə: 165507

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına

DTC114TM3T5G

hissə-hissə: 126995

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

NSBC114YF3T5G

hissə-hissə: 144543

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

SMUN5115T1G

hissə-hissə: 172520

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

FJN4306RTA

hissə-hissə: 2013

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına