Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, &Ouml;nc&uu

PDTC115EU,115

hissə-hissə: 163464

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC124ET,215

hissə-hissə: 179442

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA143ZT,215

hissə-hissə: 159829

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA144ET,235

hissə-hissə: 102068

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTB123EUX

hissə-hissə: 120814

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTB114ETVL

hissə-hissə: 138926

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC114TT,235

hissə-hissə: 184918

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC143TU,115

hissə-hissə: 173281

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA123JT,215

hissə-hissə: 198036

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC123ETVL

hissə-hissə: 168917

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTA143TU,115

hissə-hissə: 189518

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC123TU,115

hissə-hissə: 104795

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

İstək siyahısına

PDTC123YU,115

hissə-hissə: 138942

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTA023EEBTL

hissə-hissə: 111861

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

İstək siyahısına

DTC124EUBHZGTL

hissə-hissə: 1707

Transistor növü: NPN - Pre-Biased + Diode, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTC124EEBTL

hissə-hissə: 189939

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTA124XUAT106

hissə-hissə: 151332

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTA115EEBTL

hissə-hissə: 162130

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTC113ZKAT146

hissə-hissə: 167239

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

DTA144EUBHZGTL

hissə-hissə: 1739

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

SMMUN2116LT1G

hissə-hissə: 152215

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

SMUN2232T1G

hissə-hissə: 185087

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

MUN5214T1G

hissə-hissə: 152556

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

SMUN2114T1G

hissə-hissə: 146270

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

DTC114YET1G

hissə-hissə: 159617

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

MMUN2211LT3G

hissə-hissə: 116091

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

FJY4014R

hissə-hissə: 1854

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına

MUN2240T1G

hissə-hissə: 101437

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

MMUN2230LT1G

hissə-hissə: 96178

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına