Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay, Önc&uu

PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

hissə-hissə: 163318

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTD114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD114EQAZ

hissə-hissə: 189828

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA143XQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA143XQAZ

hissə-hissə: 109011

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB114EQAZ

hissə-hissə: 123069

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA143ZM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143ZM,315

hissə-hissə: 119654

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTC114YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC114YQAZ

hissə-hissə: 100962

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTC144VMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144VMB,315

hissə-hissə: 124898

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114EM,315

hissə-hissə: 190834

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTC143TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TMB,315

hissə-hissə: 120761

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

hissə-hissə: 155778

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124XMB,315

hissə-hissə: 171934

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
PDTA144VM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144VM,315

hissə-hissə: 120475

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC143EMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143EMFHAT2L

hissə-hissə: 63

Transistor növü: NPN - Pre-Biased + Diode, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA143XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA143XEFRATL

hissə-hissə: 140

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC015EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC015EMT2L

hissə-hissə: 149082

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTD113ZCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ZCHZGT116

hissə-hissə: 136

Transistor növü: NPN - Pre-Biased + Diode, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA114GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114GUAT106

hissə-hissə: 109848

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
DTD113EKT146
Rohm Semiconductor

DTD113EKT146

hissə-hissə: 138641

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143TMFHAT2L

hissə-hissə: 96

Transistor növü: NPN - Pre-Biased + Diode, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC014EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014EMT2L

hissə-hissə: 129733

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTA124TUAT106
Rohm Semiconductor

DTA124TUAT106

hissə-hissə: 115377

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA114WUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114WUAT106

hissə-hissə: 154935

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA124EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA124EU3T106

hissə-hissə: 99

Transistor növü: PNP - Pre-Biased + Diode, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA023YMT2L
Rohm Semiconductor

DTA023YMT2L

hissə-hissə: 100858

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTA143XKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143XKAT146

hissə-hissə: 179232

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA023YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023YUBTL

hissə-hissə: 141506

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTA023JUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023JUBTL

hissə-hissə: 174314

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTB123YUT106
Rohm Semiconductor

DTB123YUT106

hissə-hissə: 136083

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
DTA124ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA124ECAT116

hissə-hissə: 150496

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
DTB143ECT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECT116

hissə-hissə: 143123

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC123EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC123EMT2L

hissə-hissə: 179511

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

İstək siyahısına
DTC943TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC943TUBTL

hissə-hissə: 159354

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 400mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına
UNRF2A100A
Panasonic Electronic Components

UNRF2A100A

hissə-hissə: 144994

Transistor növü: NPN - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 80mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor

DTA124EM3T5G

hissə-hissə: 178141

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
NSVMMUN2135LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2135LT1G

hissə-hissə: 135440

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına
FJX4009RTF
ON Semiconductor

FJX4009RTF

hissə-hissə: 2507

Transistor növü: PNP - Pre-Biased, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

İstək siyahısına