Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 39

QSX7TR

hissə-hissə: 133111

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

FMW1T148

hissə-hissə: 193173

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

hissə-hissə: 115359

Transistor növü: NPN, PNP Complementary Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

hissə-hissə: 132191

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 11V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

US6T9TR

hissə-hissə: 144882

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

QSX8TR

hissə-hissə: 124260

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMX5T108

hissə-hissə: 149748

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 11V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

hissə-hissə: 158820

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

hissə-hissə: 188842

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMX17T108

hissə-hissə: 170021

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMX3T108

hissə-hissə: 188015

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

hissə-hissə: 189718

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMX1T108

hissə-hissə: 134514

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

hissə-hissə: 151664

Transistor növü: NPN, PNP (Emitter Coupled), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

hissə-hissə: 137089

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 32V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

hissə-hissə: 165705

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

hissə-hissə: 108768

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

hissə-hissə: 144757

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

İstək siyahısına

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

hissə-hissə: 102872

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

hissə-hissə: 142447

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA,

İstək siyahısına

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

hissə-hissə: 189360

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

hissə-hissə: 137638

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

hissə-hissə: 182764

Transistor növü: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

hissə-hissə: 158166

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

hissə-hissə: 145001

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

hissə-hissə: 116803

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 600mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

hissə-hissə: 174855

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 160V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

hissə-hissə: 191209

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

hissə-hissə: 145366

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

İstək siyahısına

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

hissə-hissə: 180805

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

hissə-hissə: 136392

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

hissə-hissə: 154530

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

hissə-hissə: 175513

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

İstək siyahısına

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

hissə-hissə: 130805

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

hissə-hissə: 145782

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 50µA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

hissə-hissə: 189131

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 40V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

İstək siyahısına