Transistorlar - FET, MOSFET - Diziler

NTMFD4C85NT1G

hissə-hissə: 29711

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15.4A, 29.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMFD5C470NLT1G

hissə-hissə: 6471

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMQ8203

hissə-hissə: 55066

FET növü: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5C650NLWFT1G

hissə-hissə: 9967

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA,

NTGD3133PT1G

hissə-hissə: 3323

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

FDS8958B_G

hissə-hissə: 2939

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC8822R-TF

hissə-hissə: 3006

MCH6605-TL-EX

hissə-hissə: 2947

FDMS3620S

hissə-hissə: 94876

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

FDMS8095AC

hissə-hissə: 54792

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.2A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5C680NLWFT1G

hissə-hissə: 6505

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA,

EFC3C001NUZTCG

hissə-hissə: 153532

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

NTMFD4C86NT1G

hissə-hissə: 26834

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11.3A, 18.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS8949-F085

hissə-hissə: 10816

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG6304P

hissə-hissə: 174228

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8934

hissə-hissə: 3124

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FMP76-01T

hissə-hissə: 227

FET növü: N and P-Channel, Common Drain, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 54A (Tc), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA,

FMM50-025TF

hissə-hissə: 5089

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMK90-02T2

hissə-hissə: 1263

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 83A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA,

SI1539DDL-T1-GE3

hissə-hissə: 3368

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 700mA (Tc), 460mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, 1.07 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA,

SI4565ADY-T1-GE3

hissə-hissə: 3004

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.6A, 5.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI3552DV-T1-E3

hissə-hissə: 116715

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SQ3985EV-T1_GE3

hissə-hissə: 9989

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

RJM0603JSC-00#13

hissə-hissə: 3358

FET növü: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

DMNH6042SSDQ-13

hissə-hissə: 171893

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMC3A17DN8TA

hissə-hissə: 125228

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMC3028LSDXQ-13

hissə-hissə: 198368

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.5A, 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2016LFG-7

hissə-hissə: 115776

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMG6898LSDQ-13

hissə-hissə: 192348

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

PMDPB95XNE2X

hissə-hissə: 126919

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

PMGD290UCEAX

hissə-hissə: 122614

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 725mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

PHC21025,118

hissə-hissə: 68440

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA,

IRF8910TRPBF

hissə-hissə: 184858

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

KGF16N05D-400

hissə-hissə: 3372

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 5.5V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

TSM6502CR RLG

hissə-hissə: 10781

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 24A (Tc), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SSM6P41FE(TE85L,F)

hissə-hissə: 13283

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 720mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,