Transistorlar - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3616S

hissə-hissə: 2851

FET növü: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

FDW2507NZ

hissə-hissə: 2692

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

NTQD6968NR2G

hissə-hissə: 2683

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

İstək siyahısına

NDS9925A

hissə-hissə: 2695

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

NTZD3154NT1H

hissə-hissə: 188943

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

ECH8675-TL-H

hissə-hissə: 2918

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

İstək siyahısına

FDS6984S

hissə-hissə: 2757

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

NDS9942

hissə-hissə: 2712

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

İstək siyahısına

NTMD2P01R2

hissə-hissə: 2666

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 16V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

FDJ1027P

hissə-hissə: 2758

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

NDS9956A

hissə-hissə: 2657

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

İstək siyahısına

NTHD5905T1

hissə-hissə: 2720

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 8V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA,

İstək siyahısına

MMDF2N02ER2

hissə-hissə: 2712

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

NDM3000

hissə-hissə: 2702

FET növü: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

NDS8926

hissə-hissə: 2667

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

SIA511DJ-T1-GE3

hissə-hissə: 2748

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI1970DH-T1-GE3

hissə-hissə: 3345

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI7911DN-T1-GE3

hissə-hissə: 3351

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

SIA914DJ-T1-E3

hissə-hissə: 2809

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

İstək siyahısına

SQJ940EP-T1_GE3

hissə-hissə: 137151

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI4804BDY-T1-E3

hissə-hissə: 2731

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI1025X-T1-E3

hissə-hissə: 2759

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI1033X-T1-E3

hissə-hissə: 2716

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI4544DY-T1-E3

hissə-hissə: 2827

FET növü: N and P-Channel, Common Drain, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

İstək siyahısına

SIS902DN-T1-GE3

hissə-hissə: 5353

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI4830ADY-T1-GE3

hissə-hissə: 2864

FET növü: 2 N-Channel (Half Bridge), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

İstək siyahısına

SI5504DC-T1-GE3

hissə-hissə: 2847

FET növü: N and P-Channel, FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

hissə-hissə: 83530

FET növü: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1A, 800mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

İstək siyahısına

Diodes Incorporated

DI9945T

hissə-hissə: 2659

FET növü: 2 N-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Standard, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

İstək siyahısına

IRFHS9351TR2PBF

hissə-hissə: 2826

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

İstək siyahısına

IRF7750

hissə-hissə: 2669

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

İstək siyahısına

IRF7754GTRPBF

hissə-hissə: 2807

FET növü: 2 P-Channel (Dual), FET xüsusiyyət: Logic Level Gate, Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

İstək siyahısına