Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Zener - Subay

1N5369BRLG
ON Semiconductor

1N5369BRLG

hissə-hissə: 160710

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 51V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 27 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 38.8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5380BRLG
ON Semiconductor

1N5380BRLG

hissə-hissə: 135402

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 120V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 170 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 91.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5383BRLG
ON Semiconductor

1N5383BRLG

hissə-hissə: 177502

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 150V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 330 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 114V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5374BRLG
ON Semiconductor

1N5374BRLG

hissə-hissə: 159698

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 75V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 56V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5356BRLG
ON Semiconductor

1N5356BRLG

hissə-hissə: 189409

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 19V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 114V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5245BTA
SMC Diode Solutions

1N5245BTA

hissə-hissə: 145513

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 16 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 10.5V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5952B-13
Diodes Incorporated

1SMB5952B-13

hissə-hissə: 166334

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 130V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 450 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 98.8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5940B-13
Diodes Incorporated

1SMB5940B-13

hissə-hissə: 156649

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 53 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 32.7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5956B-13
Diodes Incorporated

1SMB5956B-13

hissə-hissə: 130281

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 200V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 1200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 152V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5951B-13
Diodes Incorporated

1SMB5951B-13

hissə-hissə: 134419

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 120V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 380 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 91.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5932B-13
Diodes Incorporated

1SMB5932B-13

hissə-hissə: 141863

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 550mW, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 15.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5945B-13
Diodes Incorporated

1SMB5945B-13

hissə-hissə: 146555

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 68V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 120 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 51.7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5941B-13
Diodes Incorporated

1SMB5941B-13

hissə-hissə: 188839

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 67 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 35.8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5943B-13
Diodes Incorporated

1SMB5943B-13

hissə-hissə: 135473

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 56V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 86 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 42.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5935B-13
Diodes Incorporated

1SMB5935B-13

hissə-hissə: 184654

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 27V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 550mW, Empedans (Maks) (Zzt): 23 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 20.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5933B-13
Diodes Incorporated

1SMB5933B-13

hissə-hissə: 157023

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 550mW, Empedans (Maks) (Zzt): 17.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 16.7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5955B-13
Diodes Incorporated

1SMB5955B-13

hissə-hissə: 140510

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 180V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 550mW, Empedans (Maks) (Zzt): 900 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 136.8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5948B-13
Diodes Incorporated

1SMB5948B-13

hissə-hissə: 140777

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 91V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 69.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5926B-13
Diodes Incorporated

1SMB5926B-13

hissə-hissə: 194394

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 5.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 8.4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.5V @ 200mA,

İstək siyahısına
1N4753A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753A R0G

hissə-hissə: 55

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 36V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 50 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 27.4V,

İstək siyahısına
1N4746AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHR0G

hissə-hissə: 69

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 50 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 13.7V,

İstək siyahısına
1N4756AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHR0G

hissə-hissə: 70

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1N4759AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR0G

hissə-hissə: 131

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 125 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 47.1V,

İstək siyahısına
1N4762A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A R0G

hissə-hissə: 70

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 82V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 62.2V,

İstək siyahısına
1N4751A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A R0G

hissə-hissə: 72

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 40 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 22.8V,

İstək siyahısına
1N4749AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHR0G

hissə-hissə: 113

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 18.2V,

İstək siyahısına
1N4757AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757AHR0G

hissə-hissə: 108

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 51V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 38.8V,

İstək siyahısına
1N4755A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A R0G

hissə-hissə: 102

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 32.7V,

İstək siyahısına
1N4756A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A R0G

hissə-hissə: 120

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1N4747AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747AHR0G

hissə-hissə: 71

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 15.2V,

İstək siyahısına
1N4754A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R0G

hissə-hissə: 77

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 29.7V,

İstək siyahısına
1M180ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHR0G

hissə-hissə: 100

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 180V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 1200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 136.8V,

İstək siyahısına
1N4764A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R0G

hissə-hissə: 91

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 100V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 350 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 76V,

İstək siyahısına
1N4741AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR0G

hissə-hissə: 59

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 22 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 15.2V,

İstək siyahısına
1N4760AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHR0G

hissə-hissə: 136

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 68V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 150 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 51.7V,

İstək siyahısına
1N4760A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R0G

hissə-hissə: 121

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 68V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 150 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 51.7V,

İstək siyahısına