Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Zener - Subay

1N986B
Microsemi Corporation

1N986B

hissə-hissə: 36030

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 110V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 750 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 83.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA,

İstək siyahısına
1N984B
Microsemi Corporation

1N984B

hissə-hissə: 36010

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 91V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 400 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 69.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA,

İstək siyahısına
1N987A
Microsemi Corporation

1N987A

hissə-hissə: 13934

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 120V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 900 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 91.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA,

İstək siyahısına
1PGSMC5366HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5366HR7G

hissə-hissə: 169

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 14 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 29.7V,

İstək siyahısına
1PGSMC5368HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5368HR7G

hissə-hissə: 119

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1PGSMC5364HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5364HR7G

hissə-hissə: 133

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 10 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 25.1V,

İstək siyahısına
1PGSMC5357HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5357HR7G

hissə-hissə: 135

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 15.2V,

İstək siyahısına
1PGSMC5367 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5367 R7G

hissə-hissə: 113

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 32.7V,

İstək siyahısına
1PGSMC5362 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5362 R7G

hissə-hissə: 109

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 28V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 6 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 21.2V,

İstək siyahısına
1PGSMC5350 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5350 R7G

hissə-hissə: 194

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 9.9V,

İstək siyahısına
1PGSMC5351HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5351HR7G

hissə-hissə: 117

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 14V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 10.6V,

İstək siyahısına
1PGSMC5365 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5365 R7G

hissə-hissə: 183

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 36V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 11 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 27.4V,

İstək siyahısına
1PGSMC5359HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5359HR7G

hissə-hissə: 190

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 4 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 18.2V,

İstək siyahısına
1PGSMC5365HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5365HR7G

hissə-hissə: 190

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 36V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 11 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 27.4V,

İstək siyahısına
1PGSMC5362HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5362HR7G

hissə-hissə: 118

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 28V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 6 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 21.2V,

İstək siyahısına
1SMC5352HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMC5352HR7G

hissə-hissə: 153

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 2.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 11.5V,

İstək siyahısına
1PGSMC5368 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5368 R7G

hissə-hissə: 179

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 25 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1PGSMC5350HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5350HR7G

hissə-hissə: 142

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 3 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 9.9V,

İstək siyahısına
1PGSMC5363 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5363 R7G

hissə-hissə: 122

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 8 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 22.8V,

İstək siyahısına
1N4730G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4730G A0G

hissə-hissə: 130

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 9 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 50µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMA5944 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5944 R3G

hissə-hissə: 140

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 47.1V,

İstək siyahısına
1SMA5947 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5947 R3G

hissə-hissə: 113

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 82V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 160 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 62.2V,

İstək siyahısına
1N4729G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4729G A0G

hissə-hissə: 111

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 10 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMB5956 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5956 R5G

hissə-hissə: 169

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 200V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 1200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 152V,

İstək siyahısına
1SMA5948 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5948 R3G

hissə-hissə: 201

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 91V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 200 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 69.2V,

İstək siyahısına
1N4743G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743G A0G

hissə-hissə: 122

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 110 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 42.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 200mA,

İstək siyahısına
1SMA5927 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5927 R3G

hissə-hissə: 139

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 6.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 9.1V,

İstək siyahısına
1SMA5941 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5941 R3G

hissə-hissə: 159

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 67 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 35.8V,

İstək siyahısına
1SMB5931HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5931HR5G

hissə-hissə: 197

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 12 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 13.7V,

İstək siyahısına
1SMB5927 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5927 R5G

hissə-hissə: 158

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 6.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 9.1V,

İstək siyahısına
1SMA5935 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5935 R3G

hissə-hissə: 140

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 27V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1.5W, Empedans (Maks) (Zzt): 23 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 20.6V,

İstək siyahısına
1SMB5926 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5926 R5G

hissə-hissə: 123

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 3W, Empedans (Maks) (Zzt): 5.5 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 8.4V,

İstək siyahısına
1N4746G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746G A0G

hissə-hissə: 197

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 1W, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 13.7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 200mA,

İstək siyahısına
1N5259B-T
Diodes Incorporated

1N5259B-T

hissə-hissə: 134697

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100µA @ 30V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 200mA,

İstək siyahısına
1N5372BRLG
ON Semiconductor

1N5372BRLG

hissə-hissə: 127708

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 5W, Empedans (Maks) (Zzt): 42 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 47.1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A,

İstək siyahısına
1N5244BTR
ON Semiconductor

1N5244BTR

hissə-hissə: 107922

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 14V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 15 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 10V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 200mA,

İstək siyahısına