Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

1N5625GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GPHE3/54

hissə-hissə: 996

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3µs,

İstək siyahısına
1N5621GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GPHE3/54

hissə-hissə: 5104

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 300ns,

İstək siyahısına
1N5623GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GPHE3/54

hissə-hissə: 977

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

İstək siyahısına
1N5620GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/54

hissə-hissə: 992

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5618GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GPHE3/54

hissə-hissə: 919

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5619GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GPHE3/54

hissə-hissə: 995

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

İstək siyahısına
1N5615GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GPHE3/54

hissə-hissə: 5128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

İstək siyahısına
1N5617GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GPHE3/54

hissə-hissə: 954

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

İstək siyahısına
1N5399GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/54

hissə-hissə: 960

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5614GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GPHE3/54

hissə-hissə: 985

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5397GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GPHE3/54

hissə-hissə: 961

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5398GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5398GPHE3/54

hissə-hissə: 948

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5393GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GPHE3/54

hissə-hissə: 898

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5395GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395GPHE3/54

hissə-hissə: 948

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5391GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391GPHE3/54

hissə-hissə: 951

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5062GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GPHE3/54

hissə-hissə: 973

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5061GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5061GPHE3/54

hissə-hissə: 911

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5059GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059GPHE3/54

hissə-hissə: 906

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N5060GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GPHE3/54

hissə-hissə: 5137

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4948GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GPHE3/54

hissə-hissə: 970

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

İstək siyahısına
1N4947GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHE3/54

hissə-hissə: 927

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

İstək siyahısına
1N4944GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GPHE3/54

hissə-hissə: 5160

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

İstək siyahısına
1N4946GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/54

hissə-hissə: 904

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 250ns,

İstək siyahısına
1N4936GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GPHE3/54

hissə-hissə: 893

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4937GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPEHE3/54

hissə-hissə: 898

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4934GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPHE3/54

hissə-hissə: 964

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4935GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935GPHE3/54

hissə-hissə: 978

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4934GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPEHE3/54

hissə-hissə: 970

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4933GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GPHE3/54

hissə-hissə: 929

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 200ns,

İstək siyahısına
1N4586GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GPHE3/54

hissə-hissə: 940

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4385GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4385GPHE3/54

hissə-hissə: 919

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4384GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/54

hissə-hissə: 989

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4383GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4383GPHE3/54

hissə-hissə: 892

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4249GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GPHE3/54

hissə-hissə: 928

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4248GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4248GPHE3/54

hissə-hissə: 966

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6700US
Microsemi Corporation

1N6700US

hissə-hissə: 2695

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına