Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

hissə-hissə: 98

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

hissə-hissə: 157

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

hissə-hissə: 94

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

hissə-hissə: 76

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

İstək siyahısına
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

hissə-hissə: 99

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

İstək siyahısına
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

İstək siyahısına
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.33V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 310ns,

İstək siyahısına
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

hissə-hissə: 5088

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 145ns,

İstək siyahısına
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 145ns,

İstək siyahısına
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 145ns,

İstək siyahısına
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

hissə-hissə: 153

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 145ns,

İstək siyahısına
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 145ns,

İstək siyahısına
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

hissə-hissə: 160

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 18A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 18A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

hissə-hissə: 71

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 760mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 760mV @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

hissə-hissə: 74

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

hissə-hissə: 104

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

hissə-hissə: 95

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 660mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

hissə-hissə: 156

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

hissə-hissə: 5037

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 180A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 180A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

hissə-hissə: 5020

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 910mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

hissə-hissə: 69

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

hissə-hissə: 130

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

hissə-hissə: 5051

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

hissə-hissə: 135

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

hissə-hissə: 74

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

hissə-hissə: 120

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 570mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

hissə-hissə: 4317

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.4A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.4A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

İstək siyahısına