Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

1N6482HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/96

hissə-hissə: 159900

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6484HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484HE3/96

hissə-hissə: 140677

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6480HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480HE3/96

hissə-hissə: 147864

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6478HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/96

hissə-hissə: 111745

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6483HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/96

hissə-hissə: 135734

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6479HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/96

hissə-hissə: 100461

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/96

hissə-hissə: 150333

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6478HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/97

hissə-hissə: 115842

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6482HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/97

hissə-hissə: 156691

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6479HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/97

hissə-hissə: 148964

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/97

hissə-hissə: 195545

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6483HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/97

hissə-hissə: 120678

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6484HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484HE3/97

hissə-hissə: 129912

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N6480HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480HE3/97

hissə-hissə: 176113

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4007GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/73

hissə-hissə: 141116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4001GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPE-E3/73

hissə-hissə: 161330

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4002GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/73

hissə-hissə: 127765

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4007GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/54

hissə-hissə: 167444

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N3957GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GP-E3/73

hissə-hissə: 187237

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4002GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/54

hissə-hissə: 161494

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4004GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/54

hissə-hissə: 114412

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4001GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPE-E3/54

hissə-hissə: 196035

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4004GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/73

hissə-hissə: 189174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4005GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-E3/73

hissə-hissə: 155608

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N3613GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GP-E3/73

hissə-hissə: 184310

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N3611GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-E3/73

hissə-hissə: 175252

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N3612GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GP-E3/73

hissə-hissə: 173205

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4003GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPE-E3/54

hissə-hissə: 113860

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N4005GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-E3/54

hissə-hissə: 127244

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 2µs,

İstək siyahısına
1N6479-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479-E3/96

hissə-hissə: 173069

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4148
ON Semiconductor

1N4148

hissə-hissə: 140316

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

İstək siyahısına
1N5819HW-7-F
Diodes Incorporated

1N5819HW-7-F

hissə-hissə: 103096

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1N4148WS-7-F
Diodes Incorporated

1N4148WS-7-F

hissə-hissə: 121095

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 75V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 150mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

İstək siyahısına
1N4004-T
Diodes Incorporated

1N4004-T

hissə-hissə: 181587

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

İstək siyahısına
1SS355TE-17
Rohm Semiconductor

1SS355TE-17

hissə-hissə: 140641

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

İstək siyahısına
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

hissə-hissə: 126326

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

İstək siyahısına