Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

hissə-hissə: 6992

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

hissə-hissə: 6990

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

hissə-hissə: 7022

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

hissə-hissə: 7021

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

hissə-hissə: 6703

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

hissə-hissə: 6975

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

hissə-hissə: 7020

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

hissə-hissə: 7022

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

hissə-hissə: 6954

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

hissə-hissə: 6948

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

hissə-hissə: 6990

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

hissə-hissə: 6947

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

hissə-hissə: 7035

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

hissə-hissə: 7005

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

hissə-hissə: 6999

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

hissə-hissə: 7004

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 400mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

hissə-hissə: 6754

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 400mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

hissə-hissə: 6942

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

hissə-hissə: 6995

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

hissə-hissə: 7000

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

hissə-hissə: 6996

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 4A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 2µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

hissə-hissə: 6949

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

hissə-hissə: 6958

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

hissə-hissə: 6947

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

hissə-hissə: 6980

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

hissə-hissə: 7012

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 100V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

hissə-hissə: 6968

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

hissə-hissə: 7012

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

hissə-hissə: 6956

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

hissə-hissə: 6980

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

hissə-hissə: 6968

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

hissə-hissə: 7009

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

hissə-hissə: 6956

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

hissə-hissə: 6969

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 150V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

İstək siyahısına

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

hissə-hissə: 7016

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına

ON Semiconductor

2SC6017-E

hissə-hissə: 111005

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 10A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

İstək siyahısına