Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay

BC857A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC857A RFG

hissə-hissə: 183

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC849AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC849AW RFG

hissə-hissə: 265

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC548A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A A1G

hissə-hissə: 207

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC857C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC857C RFG

hissə-hissə: 191

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC547C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC547C A1G

hissə-hissə: 229

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC846BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC846BW RFG

hissə-hissə: 186

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC550A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC550A B1G

hissə-hissə: 236

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC548A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A B1G

hissə-hissə: 186

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC547B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC547B A1G

hissə-hissə: 167

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC847AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC847AW RFG

hissə-hissə: 181

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC549A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC549A A1G

hissə-hissə: 214

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC338-16 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-16 A1G

hissə-hissə: 205

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına
BC817-16W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16W RFG

hissə-hissə: 264

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC546C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC546C B1G

hissə-hissə: 210

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC338-40 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-40 A1G

hissə-hissə: 218

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO),

İstək siyahısına
BC817-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16 RFG

hissə-hissə: 171

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC847C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC847C RFG

hissə-hissə: 230

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC807-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16 RFG

hissə-hissə: 256

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 200nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC849BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC849BW RFG

hissə-hissə: 183

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC817-25W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25W RFG

hissə-hissə: 259

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC848CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC848CW RFG

hissə-hissə: 243

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC337-16 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-16 A1G

hissə-hissə: 192

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına
BC548C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC548C B1G

hissə-hissə: 263

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC849CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC849CW RFG

hissə-hissə: 197

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC817-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-40 RFG

hissə-hissə: 233

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC550B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC550B B1G

hissə-hissə: 174

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC817-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25 RFG

hissə-hissə: 254

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC549B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC549B B1G

hissə-hissə: 215

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC550C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C B1G

hissə-hissə: 256

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC856B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC856B RFG

hissə-hissə: 263

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC547A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC547A A1G

hissə-hissə: 201

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC807-16W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16W RFG

hissə-hissə: 206

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC338-25 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-25 A1G

hissə-hissə: 190

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

İstək siyahısına
BC807-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-40 RFG

hissə-hissə: 215

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 200nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

İstək siyahısına
BC546B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC546B A1G

hissə-hissə: 229

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına
BC550C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C A1G

hissə-hissə: 202

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

İstək siyahısına