Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 3

BA12004BF-E2

hissə-hissə: 184029

Transistor növü: 7 NPN Darlington, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMX25T110

hissə-hissə: 176308

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMH3NFHATN

hissə-hissə: 54

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX1FHAT2R

hissə-hissə: 86

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMB4NFHATN

hissə-hissə: 65

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMB10NFHATN

hissə-hissə: 86

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMT18T110

hissə-hissə: 189248

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

hissə-hissə: 105089

Transistor növü: NPN, PNP (Emitter Coupled), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

hissə-hissə: 120

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

hissə-hissə: 123

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX18T2R

hissə-hissə: 102854

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMX9T110

hissə-hissə: 121142

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX1T2R

hissə-hissə: 141083

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMX18NTN

hissə-hissə: 176996

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMZ7NTR

hissə-hissə: 173450

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMX3NTR

hissə-hissə: 161100

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMT4T108

hissə-hissə: 120898

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMZ1T2R

hissə-hissə: 159590

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX2T2R

hissə-hissə: 130305

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMX5NTR

hissə-hissə: 180998

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 11V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMZ1AT108

hissə-hissə: 154056

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMT17T110

hissə-hissə: 4489

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMX2T108

hissə-hissə: 126207

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMT2NTR

hissə-hissə: 166499

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX52T2R

hissə-hissə: 177844

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

VT6X1T2R

hissə-hissə: 181553

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 200mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

QST8TR

hissə-hissə: 165043

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 1.5A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMZ8T2R

hissə-hissə: 146330

Transistor növü: NPN, PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX26T2R

hissə-hissə: 150147

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 300nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMY1T2R

hissə-hissə: 115385

Transistor növü: NPN, PNP (Emitter Coupled), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMT1T2R

hissə-hissə: 173955

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMT18T2R

hissə-hissə: 174521

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 12V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Arzu

Rohm Semiconductor

EMX4T2R

hissə-hissə: 175722

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 500nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

UMX1NTN

hissə-hissə: 147331

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

IMT2AT108

hissə-hissə: 186534

Transistor növü: 2 PNP (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu

Rohm Semiconductor

VT6X2T2R

hissə-hissə: 143381

Transistor növü: 2 NPN (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Arzu