Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 18

2SK3050TL

hissə-hissə: 9558

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2715TL

hissə-hissə: 9573

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2887TL

hissə-hissə: 9562

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2503TL

hissə-hissə: 9507

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2504TL

hissə-hissə: 6010

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2740

hissə-hissə: 9563

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2713

hissə-hissə: 5980

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 450V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2299N

hissə-hissə: 9560

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 450V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 4A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2095N

hissə-hissə: 9525

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK3065T100

hissə-hissə: 152735

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1A, 4V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK3018T106

hissə-hissə: 151413

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2094TL

hissə-hissə: 114625

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK3541T2L

hissə-hissə: 143656

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2463T100

hissə-hissə: 104893

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2103T100

hissə-hissə: 185973

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK3019TL

hissə-hissə: 197835

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Arzu

Rohm Semiconductor

2SK2731T146

hissə-hissə: 112352

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 100mA, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RAL025P01TCR

hissə-hissə: 140048

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RCJ200N20TL

hissə-hissə: 64746

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RQ3E075ATTB

hissə-hissə: 154438

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RTF016N05TL

hissə-hissə: 126135

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 45V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RV2C001ZPT2L

hissə-hissə: 198694

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RHU003N03FRAT106

hissə-hissə: 143

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 300mA, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSJ400N06FRATL

hissə-hissə: 157

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RD3P050SNTL1

hissə-hissə: 89

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RAL045P01TCR

hissə-hissə: 142845

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

R6009ENJTL

hissə-hissə: 55332

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535 mOhm @ 2.8A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSJ400N10TL

hissə-hissə: 39707

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RJU002N06FRAT106

hissə-hissə: 76

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSM002P03T2L

hissə-hissə: 154573

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RD3U060CNTL1

hissə-hissə: 86

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

TT8U2TCR

hissə-hissə: 138824

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RD3T050CNTL1

hissə-hissə: 106

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RAL035P01TCR

hissə-hissə: 131435

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 12V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSF010P05TL

hissə-hissə: 103472

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 45V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 1A, 10V,

Arzu

Rohm Semiconductor

RSM002N06T2L

hissə-hissə: 149050

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Arzu