İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 25V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 25V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5 ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 2.7V ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.6V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.6V,